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一种缩小有机发光二极管像素尺寸的电子束刻蚀方法 

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申请/专利权人:江苏科技大学

摘要:本发明公开了一种缩小有机发光二极管像素尺寸的电子束刻蚀方法,包括以下步骤:1清洁基片;2将导电阳极溅射在基片上;3将电子束光刻胶涂敷在带有导电阳极的基片上;4在电子束光刻胶上刻蚀盲孔结构;5提高基片上导电阳极的表面功函数;6将有机发光二极管的各有机功能层和导电阴极蒸镀在带有盲孔结构的电子束光刻胶上,制备像素尺寸为百纳米尺度的有机发光二极管。本发明通过引入电子束光刻工艺方法,摆脱了目前制造有机发光二极管显示屏幕采用通过精细金属掩模版蒸镀的方法,采用绝缘的电子束光刻胶作为固定掩模版,避免材料热胀冷缩及移动或者更换精细金属掩模版时的定位误差。

主权项:1.一种缩小有机发光二极管像素尺寸的电子束刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:1清洁基片6;2溅射导电阳极5至基片6;3旋涂电子束光刻胶7至导电阳极5;4在电子束光刻胶7上刻蚀盲孔结构;5提高基片上导电阳极5的表面功函数;6在电子束光刻胶7上依次蒸镀有机发光二极管的空穴传输层4、发光层兼电子传输层3和阴极2,制得有机发光二极管。

全文数据:

权利要求:

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