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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：本发明公开了一类三核锡络合物、其制备方法及在极紫外光刻和电子束光刻中的应用。所述三核锡络合物具有如下通式I的结构；其由带有R1取代基修饰的锡核与带有R2取代基修饰的间苯二甲酸按照摩尔比为1:1～2在溶剂中反应制得；本发明公开的一类三核锡络合物通过连接不同的配体，使整个三核锡络合物，增强了热化学稳定性，提高了EUV吸收率，分子尺寸小，组成单一，曝光时Sn‑C键断裂引发高效溶解度转变，灵敏度远超同类产品，特别在电子束光刻中表现卓越，实现性能革命性提升。
主权项：1.一类三核锡络合物，其特征在于：所述三核锡络合物具有如下通式I的结构 通式I中，R1选自具有1-18个碳的烷基；R2选自具有0-18个碳的烷基、具有2-18个碳的烯基或具有6-20个碳的芳香基中的一种。
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权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一类三核锡络合物、其制备方法及在极紫外光刻和电子束光刻中的应用
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