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申请/专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
摘要：本申请公开了一种高阶CIS芯片的切割保护液、其制备方法与用途，属于刀轮切割芯片技术领域。以质量份计，切割保护液包括如下组分：30‑130份的保护剂，0.1‑5份的附着力促进剂和0.01‑1份的消泡剂。本申请所用的保护剂中包同时包含有亲水基团和疏水基团，表现出表面活性剂和流平剂的效果，疏水基团能够朝远离芯片的表面延伸，使得保护液形成的膜层具有疏水性，能够避免刀轮切割过程中切割水对膜层的破坏；所形成的膜层耐水时间长、具有高附着力和残留颗粒少的技术效果，进而可以显著提高高阶CIS芯片的成品率和良品率。
主权项：1.一种高阶CIS芯片的切割保护液，其特征在于，以质量份计，包括如下组分：30-130份的保护剂，0.1-5份的附着力促进剂和0.01-1份的消泡剂；所述保护剂的结构如下式1所示： 其中，n表示聚合度；R1选自乙基、异丙基、丁基中的任一种；R2、R3、R4分别独立地选自F、Cl、Br、H中的一种或多种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江奥首材料科技有限公司 一种高阶CIS芯片的切割保护液、其制备方法与用途
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