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申请/专利权人:广东省科学院半导体研究所
摘要:本发明公开一种应用了仿生复眼结构的深紫外LED芯片出光结构及制备方法,方法包括在深紫外LED芯片的出光面表面涂覆一层纳米压印胶,以在所述出光面表面形成涂胶面;将仿生复眼模板压印在所述涂胶面上,待固化后剥离所述仿生复眼模板,以在深紫外LED芯片的出光面制备形成仿生复眼结构阵列。本发明实施例还公开了该仿生复眼模板的结构及其制备方法。本发明的方案能够有效提高深紫外LED芯片的光提取效率和使用寿命,且制作工艺简单,工艺成本低,适于大规模生产制造。
主权项:1.仿生复眼模板的制备方法,其特征在于,包括:在模板基板上进行第一刻蚀形成第一微米孔;基于所述第一微米孔进行第二刻蚀,将所述第一微米孔刻蚀成半椭圆深坑;在所述半椭圆深坑表面进行多次第三刻蚀,以在所述半椭圆深坑表面形成多个第二微米孔;对形成有第二微米孔的基板进行第四刻蚀,将各第二微米孔分别刻蚀成半椭圆小坑,形成包括有半椭圆深坑和位于半椭圆深坑中的半椭圆小坑阵列的仿生复眼模板,其中,所述半椭圆小坑阵列由所述半椭圆小坑构成。
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权利要求:
百度查询: 广东省科学院半导体研究所 仿生复眼模板及其制备方法、高光提取效率的深紫外LED芯片的出光结构及其制备方法
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