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申请/专利权人：江苏晟驰微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种提升SCR产品电压的气相沉积方法，涉及SCR产品加工技术领域，包括如下步骤；S1、载体预处理；S2、催化剂前驱气体制备；S3、导电层气相沉积；S4、沉积后处理。本发明通过增强等离子体的激发程度，射频功率是激发等离子体的主要能量来源，增加射频功率可以提高等离子体的密度和温度，提高电压增强等离子体的激发程度，提高了化学反应的效率和薄膜沉积的速率，在不显著升高基体电极温度的情况下实现有效的化学反应，在反应腔室内产生更均匀的电场分布从而提高等离子体的均匀性，实现薄膜的均匀、快速和高质量沉积，提高了SCR产品的电压性能。
主权项：1.一种提升SCR产品电压的气相沉积方法，其特征在于：包括如下步骤；S1、载体预处理；S2、催化剂前驱气体制备；S3、导电层气相沉积；S4、沉积后处理；所述导电层气相沉积步骤如下：（1）镀膜设备引气；（2）脉冲电源供电；（3）气体电离镀膜；（4）副产物清理；所述步骤（1）镀膜设备引气：将预处理后的阴极片置于气相沉积设备反应腔室内的基体电极上，镀膜设备密封后将四氟甲烷前驱气体通入反应腔室内，通入反应气体气压控制在50Pa～2000Pa，通入时长为20s～50s，气体充分扩散在基体电极表面；步骤（2）脉冲电源供电：脉冲电源采用高频50MHz～400MHz的交流电，通过匹配网络将电能传输到反应腔室内的基体电极上，用于提供射频或微波能量以激发和维持等离子体；步骤（3）气体电离镀膜：等离子体中的高能电子与含氟前驱体分子发生碰撞，导致基体电极表面附近分子激发和电离，产生氟自由基和其他活性物种，形成的四氟化碳气体随后参与化学反应，促进化学反应的发生，基体电极沉积温度保持在300℃～600℃，电离时长为10s～25s，从而在较低的温度下形成高质量的固体薄膜；步骤（4）副产物清理：气体反应生成需要的薄膜附着在阴极片表面，其他副产物会脱离阴极片表面，扩散在气体腔内，真空泵将生成的四氟化碳气体和其他气体从反应室中引出，抽真空时长为40s。
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