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摘要：本公开提供了一种势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法，该探测器包括：衬底；外延片结构，生长于衬底的上表面；上台面金属电极，位于外延片结构的上表面的第一端和第二端；下台面金属电极，位于外延片结构两侧预设的裸露区域；钝化层，生长于上台面金属电极与下台面金属电极之间的外延片结构的侧面，并延伸出下台面金属电极。
主权项：1.一种势垒型中长波双色红外探测器，其特征在于，包括：衬底；外延片结构，生长于所述衬底的上表面；上台面金属电极，位于所述外延片结构的上表面的第一端和第二端；下台面金属电极，位于所述外延片结构两侧预设的裸露区域；钝化层，生长于所述上台面金属电极与所述下台面金属电极之间的所述外延片结构的侧面，并延伸出所述下台面金属电极。
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百度查询： 中国科学院半导体研究所 势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法
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