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摘要：本发明属于宽禁带半导体电子材料与器件技术领域，公开了一种大功率硅基氮化镓高电子迁移率场效应晶体管GaNHEMT的结构及其制备方法。本发明采用金属有机化合物气相外延技术MOCVD，通过在硅衬底上生长特定厚度的AlN成核层、特定厚度的GaNAlN超晶格应力调控层、特定厚度的GaN缓冲沟道层、特定厚度的Al0.25Ga0.75N势垒层，得到了高质量无裂纹氮化镓HEMT外延层；然后使用电感耦合等离子体气相沉积系统ICPCVD在外延层上生长特定结构的钝化层；最后使用电子束蒸发台E‑beam制作特定结构的金属场板和金属电极，得到大功率硅基GaNHEMT。
主权项：1.一种大功率硅基氮化镓高电子迁移率场效应晶体管的结构及其制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一，对单晶硅衬底进行清洗；步骤二，对清洗完成后的单晶硅衬底表面的SiO2层进行烘烤去除；步骤三，使用三甲基铝进行预铺铝工艺；步骤四，生长AlN成核层；步骤五，生长GaNAlN超晶格应力调控层；步骤六，生长GaN缓冲沟道层；步骤七，生长Al0.25Ga0.75N势垒层；步骤八，生长SiO2SiN叠层钝化层；步骤九，生长源极和漏极金属，所述源极和漏极金属均为TiAlNiAu金属合金；步骤十，生长栅极金属，所述栅极金属为NiAu金属合金；步骤十一，生长栅场板和浮空场板，所述栅场板和浮空场板均为AlTi金属合金。
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百度查询： 贺州学院 一种大功率硅基氮化镓高电子迁移率场效应晶体管的结构及其制备方法
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