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摘要:本发明公开了一种硅基空心微针阵列的制造方法,包括在硅基板上创建具有离散高度步骤的三维光刻胶结构,然后通过深反应离子刻蚀将该结构转移到硅中;使用双面抛光硅片作为基材,旋涂一层光刻胶,通过逐层曝光进行灰度光刻,形成具有多个高度步骤的三维光刻胶结构,在灰度光刻之后,通过热回流方式,加热使光刻胶流动,形成更光滑的光刻胶结构,再使用优化的Bosch工艺将光刻胶图案转移到硅中,形成阶梯状的硅结构,接着采用各向同性的SF6气体刻蚀工艺来平滑微针的斜面和顶面,减少粗糙度,最后通过调整硅对光刻胶的刻蚀时间和工艺参数,以控制微针的高度和锥角,最终制造出表面光滑的空心硅微针。
主权项:1.一种硅基空心微针阵列的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:a,将硅片100晶面取向用丙酮和异丙醇清洗,然后用氧等离子体处理以去除潜在的有机污染物;b,在硅片背面涂抹光刻胶,并在热板上烘烤;c,冷却后,使用直写机曝光孔图案,曝光后,在热板上进行曝光后烘烤,然后在显影液中显影;d,使用Bosch工艺将光刻胶图案,进行蚀刻;e,去除剩余光刻胶;f,在硅片正面涂抹光刻胶,通过逐层曝光进行灰度光刻;g,光刻后,形成3D阶梯结构的光刻胶图案,通过光刻胶的热回流转化为光滑的斜面剖面;h,以光刻胶图案为掩模,使用调整后的Bosch工艺以降低刻蚀选择性来刻蚀硅微针,刻蚀后,使用SF6气体的各向同性刻蚀工艺进一步平滑微针的侧面和顶面,最终形成硅基空心微针。
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