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摘要：本公开涉及包括在垂直方向上堆叠的存储器单元的半导体设备。一种半导体设备包括：第一字线至第四字线，在垂直方向上与第一位线至第三位线交替布置；第一存储器单元至第六存储器单元，分别设置在第一字线与第一位线之间、在第一位线与第二字线之间、在第二字线与第二位线之间、在第二位线与第三字线之间、在第三字线与第三位线之间以及在第三位线与第四字线之间；第一字线接触部和第二字线接触部，分别将第一字线和第二字线连接到衬底；第三字线接触部和第四字线接触部，分别将第三字线和第四字线连接到第一字线和第二字线；以及第一位线接触部至第三位线接触部，分别将第一位线至第三位线连接到衬底。

主权项：1.一种半导体设备，包括：衬底；第一字线、第二字线、第三字线和第四字线，在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上延伸，并且在与所述衬底的所述顶表面垂直的垂直方向上顺序地堆叠在所述衬底上方；第一位线、第二位线和第三位线，在与所述衬底的所述顶表面平行并且与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且在所述垂直方向上分别设置在所述第一字线与所述第二字线之间、在所述第二字线与所述第三字线之间以及在所述第三字线与所述第四字线之间；第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元、第四存储器单元、第五存储器单元和第六存储器单元，分别设置在所述第一字线与所述第一位线之间的相交区域、所述第一位线与所述第二字线之间的相交区域、所述第二字线与所述第二位线之间的相交区域、所述第二位线与所述第三字线之间的相交区域、所述第三字线与所述第三位线之间的相交区域以及所述第三位线与所述第四字线之间的相交区域中；第一字线接触部和第二字线接触部以及第三字线接触部和第四字线接触部，所述第一字线接触部和所述第二字线接触部分别将所述第一字线和所述第二字线连接到所述衬底，所述第三字线接触部和所述第四字线接触部分别将所述第三字线和所述第四字线连接到所述第一字线和所述第二字线；以及第一位线接触部、第二位线接触部和第三位线接触部，分别将所述第一位线至所述第三位线连接到所述衬底，其中在平面视图中，设置有所述第一字线接触部和所述第三字线接触部的第一字线接触区域、设置有所述第二字线接触部和所述第四字线接触部的第二字线接触区域、设置有所述第一位线接触部的第一位线接触区域、设置有所述第二位线接触部的第二位线接触区域以及设置有所述第三位线接触部的第三位线接触区域位于不同的位置处。

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