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摘要：本发明属于半导体制造加工领域。本发明提供了一种晶圆的光阻硬化方法及制得的晶圆，所述方法包括在晶圆上涂覆第一光刻胶，曝光显影形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上涂覆水溶性第二光刻胶，通过水洗得到显影效果后再烘烤；再使用SF6气体进行反应离子刻蚀，使光阻硬化。本发明通过对已形成的第一光刻胶层进行两步处理，逐步缩小线宽，不需要依赖高性能的光刻机，即将晶圆的CD尺寸量测线宽值缩小为0.15～0.3μm，所述方法简单易行且成本较低，有利于进行大规模的推广和应用。
主权项：1.一种晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，包括：1在晶圆上涂覆第一光刻胶，曝光后显影，形成第一光刻胶层；2在第一光刻胶层上涂覆水溶性第二光刻胶，水洗显影后烘烤；3使用SF6气体进行反应离子刻蚀，使光阻硬化。
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百度查询： 合肥芯谷微电子股份有限公司 一种晶圆的光阻硬化方法及制得的晶圆
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