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用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置 

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摘要:本发明公开了用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置,涉及垂直腔面发射激光器相关领域,该方法包括:获得光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率;根据VCSEL芯片应用场景类型,采集氧化孔形状参数和氧化孔均匀系数;通过光束质量预测器进行映射,生成光束预测直径、光束预测发散角、光束预测轮廓和桶中预测功率;选取满足光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率的湿法氧化控制参数,设为监测调控基准参数;进行湿法氧化监控。解决了现有VCSEL芯片湿法氧化孔径调控存在的精度控制不足的技术问题,达到了提高VCSEL芯片氧化孔径的精度控制水平的技术效果。

主权项:1.用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法,其特征在于,包括:响应于用户端提交的VCSEL芯片氧化孔径优化请求,获得光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率;根据所述VCSEL芯片氧化孔径优化请求的VCSEL芯片应用场景类型,采集氧化孔形状参数和氧化孔均匀系数;根据所述氧化孔形状参数和所述氧化孔均匀系数,通过光束质量预测器进行映射,生成光束预测直径、光束预测发散角、光束预测轮廓和桶中预测功率;根据所述光束预测直径、所述光束预测发散角、所述光束预测轮廓和所述桶中预测功率,选取满足所述光束期望直径、所述光束期望发散角、所述光束期望轮廓和所述桶中期望功率的湿法氧化控制参数,设为监测调控基准参数;根据所述监测调控基准参数进行湿法氧化监控。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏永鼎股份有限公司 用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置

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