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摘要：本发明公开了一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构及其制备方法，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、低掺杂n型GaN漂移层A、多周期GaNAlxGa1‑xN隧穿层，其中0x0.3、低掺杂n型GaN漂移层B、导通孔径层、GaN沟道层；并且在所述导通孔径层的两侧还分别设有电流阻挡层；通过在漂移区内插入多周期GaNAlxGa1‑xN隧穿层，通过调控多周期的周期数、多周期内的GaN与AlXGa1‑XN的厚度及Al组分，提高器件的耐压特性，通过隧穿效应显著缓解器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾，改善器件的稳定性和可靠性。
主权项：1.一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构，其特征在于，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、低掺杂n型GaN漂移层A、多周期GaNAlxGa1-xN隧穿层，其中0x0.3、低掺杂n型GaN漂移层B、导通孔径层、GaN沟道层；并且在所述导通孔径层的两侧还分别设有电流阻挡层；形成所述低掺杂n型GaN漂移层A、低掺杂n型GaN漂移层B的低掺杂n型GaN半导体材料均是硅掺杂的n型GaN半导体材料；所述低掺杂n型GaN漂移层A、低掺杂n型GaN漂移层B中硅掺杂量分别为1×1015-5×1015cm-3，1×1016-5×1017cm-3。
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百度查询： 安徽长飞先进半导体股份有限公司 一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构及其制备方法
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