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摘要：本发明涉及GaN外延基板，其包含GaN基板、和在上述GaN基板上外延生长而成的GaN缓冲层，上述GaN外延基板包含存在于上述GaN基板中或上述GaN缓冲层中的点A、和存在于上述GaN缓冲层中且Fe浓度为上述点A的Fe浓度的1100的点B，上述点A与上述点B的距离为0.2μm以下。
主权项：1.一种GaN外延基板，其包含GaN基板、和在所述GaN基板上外延生长而成的GaN缓冲层，所述GaN外延基板包含点A和点B，所述点B位于在所述点A通过且与[0001]轴平行的直线上、并且相对于所述点A在[0001]轴方向存在，所述点A存在于所述GaN基板中或所述GaN缓冲层中，所述点B存在于所述GaN缓冲层中，所述点B处的Fe浓度[Fe]B与所述点A处的Fe浓度[Fe]A之比[Fe]B[Fe]A为1100，所述点A与所述点B的距离为0.2μm以下。
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