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摘要：本发明公开了一种绿光Micro‑LED外延片及其制备方法，所述绿光Micro‑LED外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括依次层叠的阱前蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和阱后蓝光多量子阱层。本发明能够显著改善多量子阱发光层的质量及多量子阱发光层电子空穴浓度的匹配度，从而提高绿光Micro‑LED芯片在低工作电流密度下的光效、良率等性能。
主权项：1.一种绿光Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括依次层叠在所述低温应力释放层上的阱前蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和阱后蓝光多量子阱层；所述阱前蓝光多量子阱层包括周期性交替生长的阱前蓝光InGaN层和阱前蓝光GaN层，所述绿光多量子阱层包括周期性交替生长的绿光InGaN层与绿光GaN层，所述阱后蓝光多量子阱层包括周期性交替生长的阱后蓝光InGaN层与阱后蓝光GaN层；所述绿光InGaN层中的In组分占比大于阱前蓝光InGaN层和阱后蓝光InGaN层中的In组分占比；所述阱前蓝光GaN层、绿光GaN层和阱后蓝光GaN层中均包含依次层叠的第一GaN垒层、AlGaN垒层和第二GaN垒层；所述阱前蓝光GaN层中AlGaN垒层的Al组分占比、所述绿光GaN层中AlGaN垒层的Al组分占比、阱后蓝光GaN层中AlGaN垒层的Al组分占比递减。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 绿光Micro-LED外延片及其制备方法
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