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摘要：本发明涉及接合体及半导体装置，本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜粒子来源的结构，烧结金属层中的铜的含量以烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。
主权项：1.一种接合体，其具备第一构件、第二构件、以及将所述第一构件与所述第二构件接合的烧结金属层，所述烧结金属层含有相对于所述第一构件或所述第二构件与所述烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜粒子来源的结构，所述烧结金属层中的铜的含量以所述烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上，所述薄片状铜粒子来源的结构的通过下述式1求出的取向有序度S为0.88以上且1.00以下，S＝12×3＜cos2θ＞－11式中，θ表示界面与薄片状结构所成的角度、＜cos2θ＞表示多个cos2θ的值的平均值。
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