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摘要：本发明公开了一种薄介质衬底大角度入射相位稳定1bit超材料单元结构，包括第一介质基板和第二介质基板，第一介质基板上下表面分别有第一金属层和第二金属层，第二介质基板上表面有第三金属层，第一金属层包括轴对称的五边形金属贴片，PIN二极管焊接于第一金属层两个金属贴片之间；第二金属层为避让金属通孔的单元地层；第三金属层为两个包含扇形滤波器和偏置线组成的偏置电路层；第一金属层两个金属贴片分别通过贯穿上下表面的金属通孔与第三金属层的两个偏置电路相连，从而与PIN二极管形成控制回路。本发明有效减小电磁波大角度斜入射对单元性能的影响；本发明厚度减少为0.05介质波长，减小结构重量，并降低了加工难度。
主权项：1.一种薄介质衬底大角度入射相位稳定1bit超材料单元结构，其特征在于：包括第一介质基板和第二介质基板，所述第一介质基板和第二介质基板按上下位置通过半固化片粘接形成单元整体；所述第一介质基板的上下表面分别设有第一金属层和第二金属层，所述第二介质基板的上表面设有第三金属层；所述第一金属层为单元表面层，其由两个五边形金属贴片轴对称相对而设组成，两个五边形金属贴片之间存在缝隙，并在所述缝隙焊接PIN二极管将两个五边形金属贴片相连；所述五边形金属贴片包括矩形和等腰三角形，以矩形的一条长边作为等腰三角形的底边，两个五边形金属贴片中各自矩形的另一条长边平行设置，并以两条长边之间的中线为对称轴对称设置两个所述五边形金属贴片；所述单元整体设有贯穿的两个金属化通孔，所述两个金属化通孔分别位于两个五边形金属贴片中三角形顶点到矩形远端的长边的垂直线的中点处；所述第二金属层为单元地层，并在金属化通孔的外周蚀刻有同心的圆环，从而与所述金属化通孔绝缘；所述第三金属层为偏置电路层，包括两个扇形滤波器和与所述扇形滤波器连接的偏置线，所述第一金属层的两个五边形金属贴片通过金属化通过分别与扇形滤波器的圆心角相连；所述五边形金属贴片中矩形的长和宽分别为a和b，三角形的高为h，两个五边形金属贴片之间的缝隙宽度为g，他们之间满足以下关系： ,式中，T为单元周期，c为真空中光速，为中心频点频率；k、p和q均为调节因子，Er为介质衬底介电常数。
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