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摘要：本公开提供了一种半导体制造设备、腔体总成、及成长III族氮化物的方法。半导体制造设备包括腔体、流体供应口、多个载体、及多个第一盖板。流体供应口设置在所述腔体内。多个载体设置在所述腔体内且围绕所述流体供应口，其中所述多个载体中任一者包括凹槽和围绕所述凹槽的侧壁及外周缘部。多个第一盖板设置在所述流体供应口及所述多个载体之间，并且环绕所述流体供应口，其中所述多个第一盖板中相邻二者之间包括第一盖板间隙。所述第一盖板间隙设置在所述流体供应口的中心对所述多个载体中任一者的所述侧壁的切线与所述流体供应口的中心对所述多个载体的相邻的另一者的所述侧壁的切线之间。
主权项：1.一种半导体制造设备，其包括：腔体；流体供应口，其设置在所述腔体内；多个载体，其设置在所述腔体内且围绕所述流体供应口，其中所述多个载体中任一者包括凹槽和围绕所述凹槽的侧壁及外周缘部；多个第一盖板，其设置在所述流体供应口及所述多个载体之间，并且围绕所述流体供应口，其中所述多个第一盖板中相邻二者之间包括盖板间隙，第二盖板，其设置在所述多个载体的任一者与所述腔体的内壁之间；第三盖板，其中所述盖板间隙自所述流体供应口朝所述第三盖板的方向延伸；其中所述盖板间隙设置在所述流体供应口的中心对所述多个载体中任一者的所述侧壁的切线与所述流体供应口的中心对所述多个载体的相邻的另一者的所述侧壁的切线之间。
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