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摘要：本发明提供了一种用于红外探测的超晶格材料，其由多层InAsN层和多层InAsSb层层叠形成，其中，所述InAsN层和所述InAsSb层交替层叠。本发明还提供了一种具有由该超晶格材料形成的吸收层的红外探测器。与现有技术中的InAsInAsSb超晶格材料相比，本发明提出的InAsNInAsSb超晶格有效带宽显著减小，对于相同截止波长超晶格周期厚度更小，吸收系数显著增加，可较好的提升红外探测器的量子效率。
主权项：1.一种用于红外探测的超晶格材料，其特征在于，所述超晶格材料由多层InAsN层和多层InAsSb层层叠形成，其中，所述InAsN层和所述InAsSb层交替层叠，所述InAsN层的厚度小于或等于15nm，所述InAsSb层的厚度小于或等于10nm。
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百度查询： 苏州晶歌半导体有限公司 用于红外探测的超晶格材料以及红外探测器
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