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摘要：本发明公开了一种电容自举逻辑门及其应用的MO‑TFTSARADC，涉及集成电路技术，针对现有技术中静态功耗大和噪声大的问题提出本方案。所述一种电容自举逻辑门，基于MO‑TFT工艺，在输入侧利用自举电容的电压跳变及其所在正反馈环路控制输出侧上拉管导通。所述一种MO‑TFTSARADC应用所述电容自举逻辑门。其优点在于，逻辑门在仅使用单电源供电的条件下即可使输出高电平达到电源电压，获得较高的噪声容限，避免了多路电源导致的额外噪声和功耗。在不对逻辑门其余性能产生负面影响的情况下，可以在输入侧的直流通路中使用较小尺寸的晶体管作为下拉管以减小直流静态功耗。
主权项：1.一种电容自举逻辑门，基于MO-TFT工艺，其特征在于，在输入侧利用自举电容C1的电压跳变及其所在正反馈环路控制输出侧上拉管导通；所述一种电容自举逻辑门为非门结构：第一NMOS管M01源极接地，第一NMOS管M01漏极连接第三NMOS管M03源极、第一NMOS管M01栅极连接第一输入节点VIN1；第二NMOS管M02源极接地，第二NMOS管M02漏极连接输出节点VOUT，第二NMOS管M02栅极连接第一输入节点VIN1；第三NMOS管M03漏极连接自举电容C1上极板，第三NMOS管M03栅极连接自举电容C1上极板；第四NMOS管M04源极连接输出节点VOUT，第四NMOS管M04漏极连接电源VDD，第四NMOS管M04栅极连接第三NMOS管M03源极；第五NMOS管M05源极连接自举电容C1下极板，第五NMOS管M05漏极连接电源VDD，第五NMOS管M05栅极连接自举电容C1上极板；第六NMOS管M06源极连接自举电容C1上极板，第六NMOS管M06漏极连接电源VDD，第六NMOS管M06栅极连接电源VDD；第七NMOS管M07源极接地，第七NMOS管M07漏极连接自举电容C1下极板，第七NMOS管M07栅极连接第一输入节点VIN1。
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百度查询： 华南理工大学 一种电容自举逻辑门及其应用的MO-TFT SAR ADC
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