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摘要：本发明主要提出一种基于HiPIMS及离子注入技术的Mo‑Ni涂层制备方法，包括将表面覆有DLC膜的工件进行清洗处理后脱水烘干；将工件置于离子注入设备真空室中，进行离子注入处理；将经步骤二处理后的工件放入磁控溅射真空室内，抽真空并进行弧光增强等离子体刻蚀清洗处理；沉积MoNi防扩散层；开启磁控NiMo靶源镀制涂层；关机取样；取出工件进行超声酒精清洗，烘干后放入真空袋存放。本发明综合HiPIMS及离子注入技术，以离子注入提升基底与涂层晶格及膨胀系数匹配度的方法降低膜基间内应力，使用HiPIMS技术在DLC膜上制备具有高结合力的保护性Mo‑Ni涂层，同时缓解DLC膜内应力，显著提升工件使用寿命。
主权项：1.一种基于HiPIMS及离子注入技术的Mo-Ni涂层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将表面覆有DLC膜的工件依次进行超声酸洗、超声酒精清洗、超声去离子水漂洗、脱水烘干；步骤二、将所述步骤一处理后的工件置于离子注入设备真空室中，装上MoNi靶，调节所述离子注入设备真空室的本底真空度并加热，打开离子注入源，调节离子注入能量、离子束流强度和离子注入计量，开挡板，当离子注入计量达到预设值时，关挡板，关离子源，待所述工件温度降至100℃以内，关真空系统；步骤三、将经步骤二处理后的工件放入磁控溅射真空室内，调节所述磁控溅射真空室的本底真空度并加热，打开离子注入源，开启物理气相沉积设备的MoNi弧靶源及阳极源，遮挡弧源，通入氩气至工作气压，进行弧光增强等离子体刻蚀清洗，进一步激活离子注入后的所述DLC膜并促进注入粒子的均匀化扩散；步骤四、关闭MoNi弧靶源及阳极源，开启磁控MoNi靶源和偏压电源，调节各电源参数，调节氩气通量及所述磁控溅射真空室内工作气压，沉积MoNi防扩散层；步骤五、在步骤四运行基础上开启磁控NiMo靶源，并逐步提升NiMo靶电源功率；步骤六、在步骤五运行至预定时间后关闭各电源和氩气通入，待所述磁控溅射真空室温度降至100℃以内，关真空系统；步骤七、取出所述工件后进行超声酒精清洗，烘干后放入真空袋。
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