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摘要:一种存储器阵列,包括沿着一方向延伸的连续有源区。存储器阵列包括第一位单元,第一位单元包括限定在连续有源区上的第一编程器件和第一读取器件的对。存储器阵列包括耦接到第一编程器件的栅极的第一编程字线。存储器阵列包括耦接到第一读取器件的对的栅极的第一读取字线。存储器阵列包括位线,其中,第一读取器件的对中的第一个耦接在第一编程器件的第一源极漏极节点与位线之间。本申请的实施例还公开了一种存储器电路及制造存储器器件的方法。
主权项:1.一种存储器阵列,包括:连续有源区,沿着一方向延伸;第一位单元,包括限定在所述连续有源区上的第一编程器件和第一读取器件的对;第一编程字线,耦接到所述第一编程器件的栅极;第一读取字线,耦接到所述第一读取器件的对的栅极;以及位线,其中,所述第一读取器件的对中的第一个耦接在所述第一编程器件的第一源极漏极节点与所述位线之间。
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百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器阵列、存储器电路及制造存储器器件的方法
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