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摘要：本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括：腔体、基座、沉积环、遮挡环和第一升降装置；所述基座、所述沉积环和所述遮挡环均设于所述腔体内，所述沉积环环绕所述基座设置，所述遮挡环可升降地设于所述腔体的内衬，且所述遮挡环的至少部分延伸至所述基座的边缘区域；所述第一升降装置包括多个第一升降件，多个所述第一升降件分别与所述遮挡环连接，用于带动所述遮挡环靠近或远离所述基座用于承载晶圆的承载面。本申请能够解决晶背或晶圆正面边缘处薄膜厚度不一致等问题。
主权项：1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室包括：腔体100、基座200、沉积环300、遮挡环400和第一升降装置500；所述基座200、所述沉积环300和所述遮挡环400均设于所述腔体100内，所述沉积环300环绕所述基座200设置，所述遮挡环400可升降地设于所述腔体100的内衬110，且所述遮挡环400的至少部分延伸至所述基座200的边缘区域；所述第一升降装置500包括多个第一升降件510，多个所述第一升降件510分别与所述遮挡环400连接，用于带动所述遮挡环400靠近或远离所述基座200用于承载晶圆的承载面210。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体工艺设备
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