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摘要：本发明公开了一种硅基有序锗纳米线、其制备方法及应用，属于锗材料技术领域。其技术方案包括通过控制硅锗条带结构制备步骤中沉积的硅锗层的厚度来调控所形成的硅锗条带结构的高度和顶部平台的宽度，进而调控锗纳米线制备步骤中所形成的锗纳米线的尺寸。本发明应用于量子点量子比特器件方面，解决现有硅基面内锗纳米线的尺寸不能实现可控调节，从而影响了锗纳米线在量子点量子比特器件中的应用和发展的问题，能够对锗纳米线的尺寸实现可控生长。
主权项：1.一种硅基有序锗纳米线的制备方法，其特征在于，包括：周期性凹槽结构制备步骤，包括在硅衬底上利用刻蚀的方法制备周期性凹槽结构；硅缓冲层制备步骤，包括在所述周期性凹槽结构上沉积硅缓冲层；硅锗条带结构制备步骤，包括在所述硅缓冲层上沉积硅锗层并退火，在所述周期性凹槽结构的边缘形成硅锗条带结构；锗纳米线制备步骤，包括在所述硅锗条带结构上沉积纯锗层并进行原位退火，在所述周期性凹槽结构的两侧得到锗纳米线；上述步骤中，通过控制所述硅锗条带结构制备步骤中沉积的所述硅锗层的厚度来调控所形成的所述硅锗条带结构的高度和顶部平台的宽度，进而调控所述锗纳米线制备步骤中所形成的所述锗纳米线的尺寸。
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百度查询： 齐鲁理工学院 一种硅基有序锗纳米线、其制备方法及应用
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