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摘要：本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。
主权项：1.一种高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：包括，晶面为100单晶Si的衬底；单晶Si衬底上淀积有埋氧化层，和单晶Si衬底和集电区的Si材料组成SOI结构；基极窗口所对应的集电区的位置注入有硼离子；集电区的一端刻蚀有凹槽一形成STI隔离区，以及凹槽二，淀积填充重掺杂的Si材料；阶梯型分布的基区的Ge组分；浅沟槽隔离105位于集电区103和淀积重掺杂的Si材料106之间，Ge位于集电区103之上；基区上方淀积有一层单晶Si薄层作为“盖帽层”；单晶Si薄层上淀积有N+多晶硅作为发射极；使用双频射频电源PECVD淀积高应力的覆盖层Si3N4材料，刻蚀有发射极窗口和基区窗口；SiGe基区以外的外基区部分位于衬底之中，以提高器件的放大系数和频率；在所述基区有单轴压应力的SOISiGeHBT异质结双极晶体管结构，使用双频射频电源PECVD淀积高应力的覆盖层Si3N4材料，将本征应力传递到发射区和基区领域，以及集电区表面，施加的应力改变器件的能带结构，增强载流子的迁移率；同时Si和Ge的晶格常数不同，使高频硅锗异质结双极晶体管的基区受到由Si3N4材料所引起的单轴应力和衬底引起的双轴应力作用，形成单轴应变发射区以及复合应变基区。
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百度查询： 重庆邮电大学 一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法
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