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摘要：本发明涉及红外PD芯片设计技术领域，公开了一种红外PD芯片二极结敏感度提升方法及设备，其中，该方法包括：对红外PD芯片的PN结进行多结构建模，构建多结构PN结模型；计算载流子分离效率与PN结结构参数的映射关系；创建载流子增强结构模型；将载流子增强结构模型的几何参数作为状态变量输入深度强化学习模型，以光电响应模型为奖励函数进行参数优化，得到最优PN结结构参数；基于最优PN结结构参数进行响应度计算，并评估红外PD芯片的敏感度提升指标，该方法用于构建包含归一化探测率、探测概率和误报率的综合性能评分系统，实现了对红外PD芯片在实际应用中性能的全面评估。
主权项：1.一种红外PD芯片二极结敏感度提升方法，其特征在于，所述方法包括：对红外PD芯片的PN结进行多结构建模，构建多结构PN结模型；基于所述多结构PN结模型，计算不同反向偏置电压下的电场强度分布和载流子浓度分布，得到载流子分离效率与PN结结构参数的映射关系；根据所述载流子分离效率与PN结结构参数的映射关系，创建纳米金属颗粒阵列、量子阱结构和梯度掺杂过渡层组成的载流子增强结构模型；将所述载流子增强结构模型的几何参数作为状态变量输入深度强化学习模型，以光电响应模型为奖励函数进行参数优化，得到最优PN结结构参数；基于所述最优PN结结构参数构建量子效率评估模型，并计算量子效率分布数据；对所述量子效率分布数据进行响应度计算，并结合等效电路模型评估不同光强和波长下的探测概率和误报率，得到所述红外PD芯片的敏感度提升指标。
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