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摘要：本发明公开了一种多层外延超结MOSFET及其制造方法，包括：漏极；位于漏极之上的衬底；位于衬底之上的外延层；位于衬底之上及外延层两侧且与外延层毗邻、借助沟道注入由形成的N个柱区；位于最上层的柱区之上、外延层之上的沟道外延层；贯穿沟道外延层并延伸至外延层之中的连通区；位于沟道外延层内部两侧的源区；位于沟道外延层内部两侧且与源区毗邻的体区；位于沟道外延层之上且两侧边缘位于源区之上的栅介质；位于栅介质之上的栅极；位于栅极之上且将栅极三面包围、栅介质两侧包围的隔离介质；位于隔离介质之上且将隔离介质三面包围的源极；本发明能够提升超结MOSFET的EMI特性和应用可靠性。
主权项：1.一种多层外延超结MOSFET，其特征在于，包括：漏极；位于漏极之上的衬底；位于衬底之上的外延层；位于衬底之上及外延层两侧、由下至上依次堆叠的N个柱区，N个柱区借助沟道注入工艺形成且宽度均相等，N个柱区均与外延层毗邻；位于最上层的柱区之上、外延层之上的沟道外延层；贯穿沟道外延层并延伸至外延层之中的连通区，延伸至外延层中的连通区与最上层的柱区毗邻，且连通区的下底面高于最上层柱区的下底面；位于沟道外延层内部两侧的源区；位于沟道外延层内部两侧且与源区毗邻的体区，源区位于靠近连通区的一侧，体区位于远离连通区的一侧；位于沟道外延层之上且两侧边缘位于源区之上的栅介质；位于栅介质之上的栅极；位于栅极之上且将栅极三面包围、栅介质两侧包围的隔离介质；位于隔离介质之上且将隔离介质三面包围的源极；衬底、源区和柱区的掺杂类型为第一类型，外延层、沟道外延层和体区的掺杂类型为第二类型，第一类型为N型或P型，第二类型为P型或N型。
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百度查询： 南京第三代半导体技术创新中心有限公司 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京第三代半导体技术创新中心 多层外延超结MOSFET及其制造方法
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