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摘要：一种更好保护栅氧的SiCMOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明向器件栅极中间底部的SiCDrift层离子注入形成重掺杂的PP区，并在PP区的顶面通过制备实现欧姆接触，使栅极Poly层与PP区相连接。在栅极Poly层受驱动电压时，PP区可以释放一部分栅极驱动电压应力，从而减轻对栅氧化层的电压应力，保护了栅氧化层，而在器件阻断过程中，PP区由于处于栅极底部，又可以屏蔽漏极电压产生的电场集中，再次保护了栅氧化层。
主权项：1.一种更好保护栅氧的SiCMOSFET器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiCSub层（1）上形成SiCDrift层（2）和JFET区（3）；S200，在JFET区（3）的顶面通过离子注入工艺，依次形成P-body区（4）、NP区（5）和PP区（6）；并通过高温离子激活使JFET区（3）、P-body区（4）、NP区（5）和PP区（6）注入区完全形成；S300，JFET区（3）中的PP区（6）顶面溅射一层欧姆接触层（7）；并在欧姆接触层（7）的侧部通过干氧氧化方式生长形成一层栅氧化层（8）；S400，通过多晶硅Poly淀积方式形成一层Poly层（9），作为器件的栅电极；S500，通过氧化层淀积方式形成一层隔离介质层（10），作为避免器件栅电极和源电极短接的介质；S600，在NP区（5）和PP区（6）顶面通过Ni金属溅射形成源极欧姆接触层（11）；最后在器件最上方金属溅射形成正面电极金属层（12）。
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百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种更好保护栅氧的SiC MOSFET器件及制备方法
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