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摘要：本发明公开了一种绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠，该绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠在衬底上方形成。穿过该交替堆叠形成存储器堆叠结构。穿过该牺牲材料层的上部子集形成漏极选择层级沟槽，并且穿过该交替堆叠的每一层形成背侧沟槽。通过移除该牺牲材料层形成背侧凹陷部。将第一导电材料和第二导电材料顺序地沉积在该背侧凹陷部和该漏极选择层级沟槽中。可通过至少一种各向异性蚀刻工艺从该漏极选择层级沟槽移除该第二导电材料和该第一导电材料的部分，以提供作为通过该漏极选择层级沟槽内的腔体彼此横向间隔开并电隔离的多个组的漏极选择层级导电层。

主权项：1.一种三维存储器器件，包括：绝缘层和导电层的第一交替堆叠，所述第一交替堆叠定位在衬底上方；和存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构延伸穿过所述第一交替堆叠；其中：所述导电层包括漏极选择层级导电层，所述漏极选择层级导电层定位在距所述衬底具有不同竖直距离的至少两个不同层级中并且作为彼此电隔离的多个组横向间隔开；定位在竖直相邻的一对绝缘层之间的所述漏极选择层级导电层的每个水平部分包括第一导电材料层和第二导电材料层的堆叠，所述第一导电材料层包括第一导电材料，并且所述第二导电材料层不接触所述绝缘层中的任一者并且包括第二导电材料；并且选自所述多个组的每组内的漏极选择层级导电层通过包含所述第一导电材料的至少一个竖直导电条带电连接，其中所述漏极选择层级导电层中的每个漏极选择层级导电层在其端部部分处包含气隙；其中所述三维存储器器件还包括：第一附加绝缘层和第一附加导电层的第二交替堆叠，所述第二交替堆叠定位在所述衬底上方并且通过沿第一水平方向横向延伸的第一背侧沟槽与所述第一交替堆叠横向间隔开，第二附加绝缘层和第二附加导电层的第三交替堆叠，所述第三交替堆叠定位在所述衬底上方并且通过沿所述第一水平方向横向延伸的第二背侧沟槽与所述第一交替堆叠横向间隔开，和非保形绝缘层，所述非保形绝缘层包括覆盖在所述第一交替堆叠、所述第二交替堆叠和所述第三交替堆叠中的相应一者上方的水平部分以及延伸到所述第一背侧沟槽和所述第二背侧沟槽中的相应一者中的竖直延伸部分，其中所述竖直延伸部分中的每个竖直延伸部分具有随着距所述水平部分的竖直距离而减小的可变横向厚度；其中所述导电层中的每个导电层从所述非保形绝缘层的所述竖直延伸部分中的最近侧部分横向偏移相同的横向偏移距离；并且其中所述气隙包括定位在所述导电层中的每个导电层和所述竖直延伸部分中的相应最近侧部分之间的凹坑腔体。

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百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 包括复合字线和多条带选择线的三维存储器器件及其制造方法