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摘要：本申请公开了一种双PIN型探测器、制备方法及应用，属于光电探测器技术领域。该双PIN型探测器的结构由下至上依次为底电极、1‑N型层、1‑I型层、1‑P型层、隧穿层、牺牲层、2‑N型层、2‑I型层、2‑P型层以及顶电极；其中，底电极的材料为氧化铟锡，顶电极的材料为金，1‑N型层和2‑N型层的材料为氧化锌，1‑I型层和2‑I型层为PbSe胶体量子点薄膜，所述隧穿层的材料为金，所述牺牲层的材料为C60，当1‑N型层和2‑N型层的厚度相同，1‑I型层和2‑I型层的厚度相同以及1‑P型层和2‑P型层的厚度相同时，该双PIN型探测器光响应时间最短。本申请提供的双PIN型探测器与传统的单PIN探测器相比，其响应速度提升幅度在1倍以上，其增益带宽积也提升了1倍，体现出更优异的探测性能。
主权项：1.一种双PIN型探测器，其特征在于，所述双PIN型探测器结构从由下至上依次为底电极、1-N型层、1-I型层、1-P型层、隧穿层、牺牲层、2-N型层、2-I型层、2-P型层以及顶电极。
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百度查询： 华中科技大学 湖北光谷实验室 一种双PIN型探测器、制备方法及应用
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