买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本申请涉及一种基于6T‑SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法，该电路包括多个6T‑SRAM单元、控制单元和计算单元；多个6T‑SRAM单元并联设置且分别采用不同字线控制，多个6T‑SRAM单元的第一端连接同一第一局部位线，多个6T‑SRAM单元的第二端连通同一第二局部位线；计算单元包括第五至第八PMOS管、第七至第十NMOS管；第五PMOS管的源极和第八NMOS管的漏极信号输出节点，第七PMOS管的漏极和第八PMOS管的漏极用于接入不定电平信号，第九NMOS管的栅极和第十NMOS管的栅极为信号输入节点；第五PMOS管的栅极和第八NMOS管的栅极通过控制单元分别连接第二局部位线和第一局部位线，控制单元用于实现开关控制。将存储单元和计算单元配置在一块，实现了存内计算，大大提高了运算速度。

主权项：1.一种基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路，其特征在于，电路包括多个6T-SRAM单元、控制单元和计算单元；多个所述6T-SRAM单元并联设置且分别采用不同字线控制，多个所述6T-SRAM单元的第一端连接同一第一局部位线，多个所述6T-SRAM单元的第二端连通同一第二局部位线；所述计算单元包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管，第五PMOS管的源极和漏极分别与第七NMOS管的漏极和源极连接，第六PMOS管的源极和漏极分别与第八NMOS管的漏极和源极连接，第七PMOS管的源极和漏极分别与第九NMOS管的漏极和源极连接，第八PMOS管的源极和漏极分别与第十NMOS管的漏极和源极连接，第七PMOS管的源极和第五PMOS管的漏极连接，第八PMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接，第七NMOS管的栅极和第八NMOS管的栅极连接，第六PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极；第五PMOS管的源极和第八NMOS管的漏极信号输出节点，第七PMOS管的漏极和第八PMOS管的漏极用于接入不定电平信号，第九NMOS管的栅极和第十NMOS管的栅极为信号输入节点；第五PMOS管的栅极和第八NMOS管的栅极通过所述控制单元分别连接所述第二局部位线和所述第一局部位线，所述控制单元用于实现开关控制。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽大学 基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法