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摘要：本发明涉及一种CVT铁磁谐振阻尼器装置及设计方法，包括阻尼器本体，且所述阻尼器本体与中间变压器的二次线圈中的1a‑1n绕组并联，所述阻尼器本体包括串联电阻器、并联电阻器和饱和阻尼电抗器，其中串联电阻器和饱和阻尼电抗器串联后再一起与并联电阻器并联，并联电阻器一端以及串联电阻器均与1a‑1n绕组中的1a端连接，并联电阻器另一端以及饱和阻尼电抗器均与1a‑1n绕组中的1n端连接，所述中间变压器的额定磁通密度Bm≤0.5T，所述饱和阻尼电抗器包括阻尼电抗器铁心和阻尼电抗器线圈，且阻尼电抗器铁心采用饱和磁通密度为2.2T的硅钢片制成。本发明实现了优异的减振性能，并且可适用于中性点非有效接地系统。
主权项：1.一种CVT铁磁谐振阻尼器装置，其特征在于：包括阻尼器本体3，且所述阻尼器本体3与中间变压器5的二次线圈中的1a-1n绕组并联，所述阻尼器本体3包括串联电阻器301、并联电阻器302和饱和阻尼电抗器303，其中串联电阻器301和饱和阻尼电抗器303串联后再一起与并联电阻器302并联，并且所述并联电阻器302一端以及所述串联电阻器301均与所述1a-1n绕组中的1a端连接，所述并联电阻器302另一端以及所述饱和阻尼电抗器303均与所述1a-1n绕组中的1n端连接，所述中间变压器5的额定磁通密度Bm≤0.5T，所述饱和阻尼电抗器303包括阻尼电抗器铁心3033和缠绕在所述阻尼电抗器铁心3033上的阻尼电抗器线圈3035，所述阻尼电抗器铁心3033采用饱和磁通密度为2.2T的硅钢片制成。
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