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摘要：公开了用于形成半导体层的系统和方法，所述半导体层包括基于氧化物的层，其中材料沉积系统具有旋转机构，所述旋转机构使基板绕着所述基板的基板沉积平面的中心轴旋转。向所述基板供应材料的材料源具有i具有出口孔平面的出口孔以及ii始于所述出口孔平面的预定材料喷射空间分布。所述出口孔相对于所述基板的所述中心轴以正交距离、横向距离和倾斜角来定位。所述系统可被配置成i使用设定的倾斜角来找到所述正交距离和所述横向距离的最小值，以实现所要的层沉积均匀性，或ii使用设定的正交距离和设定的横向距离来找到所述倾斜角，以实现所述所要的层沉积均匀性。
主权项：1.一种用于形成半导体层的方法，所述方法包括：使基板绕着所述基板的基板沉积平面的中心轴旋转；对所述基板加热；提供向所述基板供应材料的材料源，其中所述材料源具有i具有出口孔平面的出口孔以及ii始于所述出口孔平面的预定材料喷射空间分布，所述预定材料喷射空间分布具有对称轴，所述对称轴在偏离所述中心轴的点处与所述基板相交，其中所述出口孔相对于所述基板的所述中心轴以正交距离、横向距离和倾斜角来定位；将所述基板和所述材料源容纳在真空环境内；以及从所述材料源发射所述材料以在所述基板上形成半导体层；其中所述出口孔被定位，使得i针对设定的倾斜角，所述正交距离和所述横向距离被最小化，以针对所述基板上的所述半导体层的所要的层生长速率实现所要的层沉积均匀性，或ii针对设定的正交距离和设定的横向距离确定所述倾斜角，以针对所述基板上的所述半导体层的所述所要的层生长速率实现所述所要的层沉积均匀性。
权利要求：
百度查询： 斯兰纳UV科技有限公司 用于形成半导体层的方法和材料沉积系统
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