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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
申请日：2024-11-18
公开（公告）日：2024-12-17
公开（公告）号：CN119153553A
专利技术分类：..涂层（H01L31/041优先）[2014.01]
专利摘要：本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括硅衬底，具有相对的第一表面、第二表面和侧面；隧穿层和第一掺杂层，堆叠在第一表面上，第一掺杂层包括掺杂多晶硅；本征非晶硅层和第二掺杂层，堆叠在第二表面上，本征非晶硅层从侧面延伸至第一掺杂层上，第二掺杂层延伸至侧面上，第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层相反，第二掺杂层包括掺杂微晶硅；第一透明导电层，设置在第一掺杂层上；第二透明导电层，设置在第二掺杂层上，且第二透明导电层的边缘与侧面之间间隔预设距离；第一电极和第二电极，分别与第一透明导电层和第二透明导电层电连接。本申请的本征非晶硅层能够钝化硅衬底的侧面，以及降低出现短路的风险。
专利权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底，具有相对的第一表面、第二表面和连接所述第一表面和所述第二表面的侧面；隧穿层和第一掺杂层，堆叠在所述第一表面上，所述第一掺杂层包括掺杂多晶硅；本征非晶硅层和第二掺杂层，堆叠在所述第二表面上，且所述本征非晶硅层从所述侧面延伸至所述第一掺杂层上，所述第二掺杂层延伸至所述侧面上，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述第二掺杂层的掺杂类型相反，所述第二掺杂层包括掺杂微晶硅；第一透明导电层，设置在所述第一掺杂层上；第二透明导电层，设置在所述第二掺杂层上，且所述第二透明导电层的边缘与所述侧面之间间隔预设距离；以及第一电极和第二电极，分别与所述第一透明导电层和所述第二透明导电层电连接。
百度查询： 天合光能股份有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制备方法
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