买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：一种半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层上的第一透明电极层；所述第一透明电极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个通孔；所述第一绝缘层上的反射电极层，所述反射电极层通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面的透明保护层，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。

主权项：1.一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述发光结构包括：凹陷区域以及与所述凹陷区域相邻的台面区域，在所述凹陷区域中蚀刻所述第二导电类型半导体层、蚀刻所述有源层并且蚀刻所述第一导电类型半导体层的一部分；第一透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；第一绝缘层，其位于所述第一透明电极层和所述凹陷区域中的第二导电类型半导体层上，所述第一绝缘层包括在所述台面区域中的多个通孔；反射电极层，其位于所述第一绝缘层上并且通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；透明保护层，其覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上；第二绝缘层，其覆盖所述透明保护层的上表面和侧表面；第一连接电极，其设置在所述第二绝缘层上，并穿过设置在所述凹陷区域中的第一开口且连接至所述第一导电类型半导体层，所述第一开口穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层；以及第二连接电极，其设置在所述第二绝缘层上，穿过设置在所述台面区域中的第二开口，并连接至所述透明保护层或所述反射电极层，所述第二开口穿过所述第二绝缘层。

权利要求：1.一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；第一绝缘层，其位于所述第一透明电极层上，所述第一绝缘层包括多个通孔；反射电极层，其位于所述第一绝缘层上并且通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及透明保护层，其覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述透明保护层包括：覆盖所述反射电极层的上表面的上部，所述上部具有凸表面；以及覆盖所述反射电极层的侧表面的侧部，所述侧部具有倾斜表面。3.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述透明保护层包括透明绝缘材料。4.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述透明保护层包括透明导电材料。5.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一绝缘层包括SiO2、SiN、TiO2、HfO和MgF2中的至少一种。6.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一绝缘层具有分布式布拉格反射器结构，在所述分布式布拉格反射器结构中具有不同折射率的绝缘层交替堆叠。7.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述反射电极层包括Ag、Cr、Ni、Ti、Al、Rh、Ru或其组合。8.如权利要求1所述的半导体发光器件，还包括所述第一绝缘层和所述反射电极层之间的第二透明电极层。9.如权利要求8所述的半导体发光器件，其中，所述第二透明电极层通过所述多个通孔与所述第一透明电极层接触。10.如权利要求1所述的半导体发光器件，还包括所述反射电极层和所述透明保护层之间的覆盖电极层。11.一种半导体发光器件，包括：发光结构，其具有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层的层叠结构，所述发光结构包括：凹陷区域，在所述凹陷区域中蚀刻所述第二导电类型半导体层、蚀刻所述有源层并且蚀刻所述第一导电类型半导体层的一部分，以及与所述凹陷区域相邻的台面区域；第一透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；第一绝缘层，其覆盖所述第一透明电极层，所述第一绝缘层包括在所述台面区域中的多个通孔；第二透明电极层，其位于所述第一绝缘层上并且通过所述多个通孔与所述第一透明电极层接触；反射电极层，其位于所述第二透明电极层上；以及透明保护层，其覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。12.如权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述透明保护层包括：覆盖所述反射电极层的上表面的上部，所述上部具有凸表面，以及覆盖所述反射电极层的侧表面的侧部，所述侧部具有倾斜表面。13.如权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述透明保护层包括绝缘材料。14.如权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述第一绝缘层的折射率低于所述第二导电类型半导体层的折射率。15.如权利要求11所述的半导体发光器件，还包括所述反射电极层和所述透明保护层之间的覆盖电极层。16.一种半导体发光器件，包括：衬底；至少一个发光结构，其包括顺序堆叠在所述衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一透明电极层，其连接到所述第二导电类型半导体层；第一绝缘层，其部分地覆盖所述第一透明电极层；第二透明电极层，其穿过所述第一绝缘层并连接到所述第一透明电极层；反射电极层，其连接到所述第二透明电极层；透明保护层，其覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上；第一连接电极，其穿过所述有源层和所述第二导电类型半导体层并连接到所述第一导电类型半导体层；以及第二连接电极，其穿过所述透明保护层并连接到所述反射电极层。17.如权利要求16所述的半导体发光器件，其中，所述至少一个发光结构包括在所述衬底上并且串联电连接的多个发光结构，所述多个发光结构由去除了所述第一导电类型半导体层的隔离区域隔开。18.如权利要求17所述的半导体发光器件，还包括：第一连接电极，其连接到所述多个发光结构中的第一发光结构的所述第一导电类型半导体层；第二连接电极，其连接到所述多个发光结构中的第二发光结构的所述第二导电类型半导体层；以及互连部分，其位于所述隔离区域上并且连接所述第一连接电极和所第二连接电极。19.如权利要求16所述的半导体发光器件，还包括：分别连接到所述第一连接电极和所述第二连接电极的第一电极焊盘和第二电极焊盘；分别连接到所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘的第一焊柱和第二焊柱；以及覆盖所述第一焊柱的侧表面和所述第二焊柱的侧表面的模制部分。20.如权利要求19所述的半导体发光器件，其中，所述模制部分包括反光粉末。

百度查询： 三星电子株式会社 半导体发光器件