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申请/专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司
申请日：2024-12-03
公开（公告）日：2024-12-31
公开（公告）号：CN119230618A
专利技术分类：...二极管[2006.01]
专利摘要：本发明公开的一种单向低压瞬态抑制二极管，包括N++单晶片，依次形成在所述N++单晶片表面的外延P‑区和P‑‑区，设置于所述P‑‑区的Nb+埋层区、N+区以及P+区，设置于所述P‑‑区上方的介质层，设置于所述介质层上方的第一金属层，设置所述N++单晶片下方的第二金属层以及深槽，所述深槽从介质层向下延伸至所述N++单晶片。本发明的单向低压瞬态抑制二极管引入由N++单晶片与P‑区、Nb+埋层区组成的低压三极管NPN获得低击穿电压。在芯片面积不变的条件下，通过新的结构和工艺设计，获得更低的击穿电压，更低的漏电流。
专利权项：1.一种单向低压瞬态抑制二极管，其特征在于，包括N++单晶片101，依次形成在所述N++单晶片101表面的外延P-区102和P--区104，设置于所述P--区104的Nb+埋层区103a、103b、N+区106以及P+区107，设置于所述P--区104上方的介质层108a、108b、108c，设置于所述介质层上方的第一金属层109，设置所述N++单晶片101下方的第二金属层110以及深槽105a、105b、105c，所述深槽105a、105b、105c从介质层108a、108b、108c向下延伸至所述N++单晶片101。
百度查询： 江苏吉莱微电子股份有限公司 成都吉莱芯科技有限公司 一种单向低压瞬态抑制二极管及其制备方法
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