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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;上海新昇晶科半导体科技有限公司
申请日：2024-04-28
公开（公告）日：2025-01-03
公开（公告）号：CN222294262U
专利技术分类：..碳化物[2006.01]
专利摘要：本实用新型提供一种外延基座以及外延设备，外延基座包括：基座主体；基座主体包括承载台以及凹陷部，承载台设置于基座主体的边沿，承载台与凹陷部连接，形成用于承载晶片的承载面，凹陷部相对于承载台沿远离晶片的方向内凹，晶片搭设于承载台上，且晶片在外延过程中与凹陷部相接触；凹陷部设置有至少两个凹槽，凹槽沿基座主体的周向设置，且至少两个凹槽沿基座主体的径向排布。如此配置，基座主体靠近晶片的一侧具有凹凸的面貌，导致凹槽区域的温度分布改变，使晶片背面的受热和传热出现变化，从而改变晶片表面的温度，引起沉积速率的变化，以达到补偿其他硬件或气流导致的沉积速率的变化，合适的补偿能够改善晶片外延的平坦度和厚度均匀性。
专利权项：1.一种外延基座，其特征在于，包括：基座主体；所述基座主体包括承载台以及凹陷部，所述承载台设置于所述基座主体的边沿，所述承载台与所述凹陷部连接，形成用于承载晶片的承载面，所述凹陷部相对于所述承载台沿远离所述晶片的方向内凹，所述晶片搭设于所述承载台上，且所述晶片能够在外延过程中与所述凹陷部相接触；所述凹陷部设置有至少两个凹槽，所述凹槽沿所述基座主体的周向设置，且至少两个所述凹槽沿所述基座主体的径向排布。
百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司 上海新昇晶科半导体科技有限公司 外延基座以及外延设备
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