龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司
申请日：2024-12-20
公开（公告）日：2025-01-21
公开（公告）号：CN119342933A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了一种IBC太阳能电池的背面接触结构、IBC太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的IBC太阳能电池的背面结构的制备方法，以及IBC太阳能电池的制备方法，在硅片的背面形成未经掺杂的多晶硅，并直接在掩膜中掺入前述多晶硅进行掺杂所需的杂质源；随后在进行第二元素掺杂、高温扩散处理的同时，掩膜中的杂质源可在高温的作用下进行扩散对所述多晶硅形成掺杂，从而节省一步高温过程，降低高温对制备得到的太阳能电池带来的不利影响，同时也简化了工艺流程，降低了制造成本。
专利权项：1.IBC太阳能电池的背面接触结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供表面经过抛光处理的硅片；步骤S2：在所述硅片的背面沉积第一介质、未掺杂多晶硅，并在所述硅片的背面形成掩膜层；其中，所述掩膜层含有第一元素，所述第一元素在所述掩膜层内的含量为0.5~50wt%；步骤S3：在所述硅片的背面的局部区域进行处理，去除所述局部区域的介质、未掺杂多晶硅层以及掩膜层形成开口区；步骤S4：对所述硅片的背面进行第二元素掺杂、高温扩散处理，在所述开口区对应的硅片表面形成元素扩散层，在所述硅片的背面形成玻璃层，所述未去除的未掺杂多晶硅转换为掺杂多晶硅；其中，所述第二元素与所述第一元素的种类不同；所述高温扩散处理的温度不超过950℃；步骤S5：对所述硅片的背面进行处理，同时去除掩膜层及玻璃层；步骤S6：在所述硅片的背面沉积钝化减反层；步骤S7：对所述硅片进行丝网印刷电极浆料、烧结，形成第一电极与第二电极；其中，所述第一电极与所述掺杂多晶硅接触，所述第二电极与所述元素扩散层接触；步骤S8：在第一电极与第二电极之间施加反向电压，同时，利用光源对所述硅片的背面进行光照，从而感生电流，对光源进行导引，直至光照覆盖到硅片的整个幅面；其中，所述反向电压小于该电池的最大击穿电压。
百度查询： 淮安捷泰新能源科技有限公司 IBC太阳能电池的背面接触结构、IBC太阳能电池及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号