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申请/专利权人：清华大学
申请日：2023-07-18
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119364877A
专利技术分类：
专利摘要：本发明实施例公开了一种响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片，该响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片包括：衬底、外延层、电极以及绝缘层，所述衬底对850nm波段光透明。本发明采用对850nm波段光透明的衬底，可以采用光背面入射的方式，这样就不存在正面电极阻碍光的入射到光敏面的问题，不仅彻底解决了电接触和光吸收之间的相互矛盾，而且电极还可以作为高反射镜，在光生载流子渡越时间不变的情况下，显著增加了光吸收的等效光程。
专利权项：1.一种响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片，包括：衬底、外延层、电极以及绝缘层，其特征在于，所述衬底对850nm波段光透明。
百度查询： 清华大学 响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片
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