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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日：2014-05-08
公开（公告）日：2014-09-03
公开（公告）号：CN203811768U
专利技术分类：.单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）[2020.01]
专利摘要：本实用新型揭示了一种热载流子测试电路，包括功率开关管以及n个反相器，所述功率开关管的漏极连接工作电压，所述功率开关管的栅极连接开关信号，每一所述反相器包括一对PMOS晶体管和NMOS晶体管，PMOS晶体管的源极连接所述功率开关管的源极，所述NMOS晶体管的源极接地，PMOS晶体管的栅极连接NMOS晶体管的栅极，作为所述反相器的输入端，PMOS晶体管的漏极连接NMOS晶体管的漏极，作为所述反相器的输出端。该热载流子测试电路中，所述开关信号为低电平时，至少一所述反相器空接，至少另一所述反相器连接压力电压；所述开关信号为高电平时，测量所述一反相器与所述另一反相器之间的电压差异，从而可以通过所述反相器之间阈值电压的变化差异，测量器件热载流子的变化。
专利权项：一种热载流子测试电路，其特征在于，包括功率开关管以及n个反相器，所述功率开关管的漏极连接工作电压，所述功率开关管的栅极连接开关信号，每一所述反相器包括一对PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极连接所述功率开关管的源极，所述PMOS晶体管的栅极连接所述NMOS晶体管的栅极，所述PMOS晶体管的漏极连接所述NMOS晶体管的漏极，所述NMOS晶体管的源极接地，n为大于等于2的整数。
百度查询： 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 热载流子测试电路
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