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申请/专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司;广东优普莱金刚石技术有限公司
申请日：2024-12-31
公开（公告）日：2025-02-07
公开（公告）号：CN119392209A
专利技术分类：.以镀覆方法为特征的（C23C16/04优先）[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法、系统及终端，所述方法包括：确定待生长单晶金刚石以及第一生长环境，并根据第一生长环境对待生长单晶金刚石进行第一阶段生长处理；当待生长单晶金刚石的第一阶段生长处理完成时，对第一生长环境进行工艺气体比例调整处理以及降温处理，得到第二生长环境；根据第二生长环境对待生长单晶金刚石进行第二阶段生长处理，得到目标单晶金刚石，并根据第二生长环境对MPCVD设备中石英上的石墨进行刻蚀处理，得到石墨刻蚀结果。本发明通过构建第二生长环境，能够在不中断金刚石生长的条件下，对石英上的石墨进行去除，不仅保证了设备的正常运行，还有效延长了金刚石的单次生长时间。
专利权项：1.一种不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法，其特征在于，所述不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法包括：确定待生长单晶金刚石以及第一生长环境，并根据所述第一生长环境对所述待生长单晶金刚石进行第一阶段生长处理；当所述待生长单晶金刚石的第一阶段生长处理完成时，对所述第一生长环境进行工艺气体比例调整处理以及降温处理，得到第二生长环境；根据所述第二生长环境对所述待生长单晶金刚石进行第二阶段生长处理，得到目标单晶金刚石，并根据所述第二生长环境对MPCVD设备中石英上的石墨进行刻蚀处理，得到石墨刻蚀结果。
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