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龙图腾网恭喜成都芯正微电子科技有限公司申请的专利一种新型的防倒灌电流电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119652306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510165077.2，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种新型的防倒灌电流电路是由彭铭怡;沈晓峰设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型的防倒灌电流电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型的防倒灌电流电路，涉及电路技术领域，包括第一电路及第二电路，第一电路由3个逻辑门电路、晶体管MP1、MP2、MP3、MP4、MN1、MN2及MN3组成，当电路处于掉电模式时，能及时关断晶体管MP1及MN1，第二电路则用于使晶体管MP1的衬底电位VSUB在电源电压VCC及输出端VOUT中始终选择最高电位，从而形成良好的防倒灌机制。本发明能在电路出现掉电时，能够完全避免输出到VCC或者到地有二极管通路的出现，真正实现输出掉电时零电流，而且通过隔绝开输出PMOS驱动管的衬底电位，让其永远选择最高电位，减少电路内部电流尖峰的产生，且本防倒灌电流电路由于其模拟电路和其特殊的MOS二极管倒置结构会让其永远处于使能关断状态，不会产生额外通路消耗功耗。

本发明授权一种新型的防倒灌电流电路在权利要求书中公布了：1.一种新型的防倒灌电流电路，其特征在于，包括第一电路及第二电路；所述第一电路包括：第一逻辑门电路被配置为：第一输入端与数据端Data连接，第二输入端与驱动端EN连接，输出端分别与晶体管MN2的源极和晶体管MP4的漏极连接，当所述数据端Data及所述驱动端EN中至少一个为低电平时，所述第一逻辑门电路输出高电平；第二逻辑门电路被配置为：输入端与所述驱动端EN连接，输出端与第三逻辑门电路连接，所述第二逻辑门输出与所述驱动端EN电位相反的电平；第三逻辑门电路被配置为：第一输入端与所述数据端Data连接，第二输入端与所述第二逻辑门电路的输出端连接，输出端与晶体管MN1的栅极连接，当所述数据端Data及所述第二逻辑门电路的输出端中至少一个为高电平时，所述第三逻辑门电路输出低电平；所述晶体管MN2的栅极与电压源VCC连接，所述晶体管MN2的漏极及所述晶体管MP4的源极均与晶体管MP1的栅极连接，所述晶体管MP1的源极与所述电压源VCC连接，晶体管MP2的漏极与所述晶体管MP1的栅极连接，所述晶体管MP2的源极与晶体管MP3的漏极连接后与输出端VOUT连接，所述晶体管MP2的栅极与所述晶体管MP3的栅极均与所述电压源VCC连接，所述晶体管MP4的栅极与所述晶体管MP3的源极均与晶体管MN3的漏极连接，所述晶体管MN3的栅极与所述驱动端EN连接，所述晶体管MP1的漏极与所述晶体管MN1的漏极连接后与所述输出端VOUT连接，所述晶体管MN1的源极与所述晶体管MN3的源极均接地；所述第二电路包括：用于与所述输出端VOUT连接，并使所述晶体管MP1的衬底电位VSUB在所述电压源VCC及所述输出端VOUT中始终选择最高电位。

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