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龙图腾网恭喜南开大学申请的专利一种基于上转换光电器件的单光子源及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510131785.4，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种基于上转换光电器件的单光子源及其制备方法是由郭雪峰;宋子琦;段平;唐英博;贾传成设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于上转换光电器件的单光子源及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及分子光电器件领域，提供一种基于上转换光电器件的单光子源及其制备方法，制备方法包括：制备介电层；在介电层上制备石墨烯阵列电极；构建石墨烯纳米间隙点电极对；将石墨烯纳米间隙点电极对置于两口烧瓶中，向两口烧瓶中加入1‑（3‑二甲氨基丙基）‑3‑2‑乙基碳二亚胺盐酸盐和上转换发光分子A部分，氮气环境下向两口烧瓶中加入无水吡啶，得到两端连接有上转换发光分子A部分的器件并与含有镧系金属的上转换发光分子B部分放入四氢呋喃溶液中进行分子体系螯合，获得含有手性基团的单分子上转换光电器件；在单分子上转换光电器件上镀一层液态金属Ga2O3保护层，获得单光子源，增强单光子源的稳定性和抗干扰能力。

本发明授权一种基于上转换光电器件的单光子源及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于上转换光电器件的单光子源的制备方法，其特征在于，包括：S1：制备介电层；S2：在所述介电层上制备石墨烯阵列电极；S3：基于石墨烯阵列电极，构建石墨烯纳米间隙点电极对；S4：将所述石墨烯纳米间隙点电极对置于两口烧瓶中，向所述两口烧瓶中加入1-（3-二甲氨基丙基）-3-2-乙基碳二亚胺盐酸盐和上转换发光分子A部分，氮气环境下向所述两口烧瓶中加入无水吡啶，得到两端连接有上转换发光分子A部分的器件；S5：在无水无氧环境下将所述两端连接有上转换发光分子A部分的器件与含有镧系金属的上转换发光分子B部分放入四氢呋喃溶液中进行分子体系螯合，获得含有手性基团的单分子上转换光电器件；S6：在所述含有手性基团的单分子上转换光电器件上镀一层液态金属Ga2O3保护层，获得单光子源；所述含有手性基团的单分子上转换光电器件中的单分子上转换发光分子包括上转换发光分子A部分和上转换发光分子B部分，所述上转换发光分子A部分和所述上转换发光分子B部分的连接方式为A-B-A式，其中上转换发光分子A部分结构如下： 其中，上转换发光分子B部分为XCl3THF3，X选自镧系金属Tm、Yb、Er中的一种，组装完成后的含有手性基团的单分子上转换发光分子的分子式包括： 、 或 中的一种。

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