恭喜北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司龙茂林获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司申请的专利等离子体处理装置的栅组件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114695055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111587544.9,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权等离子体处理装置的栅组件是由龙茂林设计研发完成,并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置的栅组件在说明书摘要公布了:本公开提供了一种用于将工艺气体注入腔室的栅组件。栅组件包括用于将工艺气体输送到栅组件的气体入口、竖直延伸通过栅组件的至少一部分的多个喷嘴以及竖直堆叠布置的多个层。多个层包括:顶层,包括被配置为从气体入口接收工艺气体的一个或多个内部气体注入通道;底层,包括具有一个或多个注入孔口的多个内部气体注入通道,该注入孔口被配置为将水平面附近的工艺气体输送至多个喷嘴中的一个或多个喷嘴;以及一个或多个子层,被设置在顶层和底层之间,一个或多个子层中的每个子层包括随着一个或多个子层从顶层前进至底层而数量增加的内部气体注入通道。本公开还提供了等离子处理装置和处理工件的方法。
本发明授权等离子体处理装置的栅组件在权利要求书中公布了:1.一种用于将工艺气体注入腔室的栅组件,包括:气体入口,用于将所述工艺气体输送到所述栅组件;多个喷嘴,竖直延伸贯通整个所述栅组件;以及多个层,竖直堆叠布置,所述多个层包括:顶层,包括被配置为从所述气体入口接收工艺气体的一个或多个内部气体注入通道;底层,包括具有一个或多个注入孔口的多个内部气体注入通道,所述注入孔口被配置为将水平面附近的所述工艺气体输送至所述多个喷嘴中的一个或多个喷嘴;以及多个子层,被设置在所述顶层和所述底层之间,所述多个子层中的每个子层包括随着所述多个子层从所述顶层前进至所述底层而数量增加的内部气体注入通道。
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