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恭喜哈尔滨工业大学梁慧敏获国家专利权

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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利一种基于吸反力配合的电磁继电器吸合电压免调率计算方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119377549B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411447251.4,技术领域涉及:G06F17/18;该发明授权一种基于吸反力配合的电磁继电器吸合电压免调率计算方法是由梁慧敏;马航宇;魏子桐;赵葳;罗福彪;唐钰杰;赵玉寿;何枫林设计研发完成,并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于吸反力配合的电磁继电器吸合电压免调率计算方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于吸反力配合的电磁继电器吸合电压免调率计算方法,所述方法如下:步骤1、零件尺寸、装配参数分布确定与吸合过程关键位置定义;步骤2、吸合过程关键位置电磁吸力单因素分析与关键影响因素筛选;步骤3、各关键位置分布中单点位置取值下吸反力分布求解与匹配不合格率计算;步骤4、各关键位置分布影响下吸反力匹配不合格率计算;步骤5、各关键位置分布的综合影响下的继电器动作电压免调率计算。本发明以指标要求吸合电压为基准,综合考虑了该电压下、各关键参数分布影响下、各吸合过程衔铁关键位置下的吸反力分布的匹配合格情况,从而计算获得吸合电压免调率,能够对电磁继电器的吸合电压免调率实现准确、高效的计算。

本发明授权一种基于吸反力配合的电磁继电器吸合电压免调率计算方法在权利要求书中公布了:1.一种基于吸反力配合的电磁继电器吸合电压免调率计算方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:步骤1、零件尺寸、装配参数分布确定与吸合过程关键位置定义:步骤1.1、根据电磁继电器各零件加工、装配流程的工艺特点,结合电磁继电器工作原理分析确定影响其吸合电压的主要影响参数,将吸合电压表示为:Uzi,i∈[1,2,3,…,n];其中,zi表示第i个参数,n表示影响吸合电压的主要影响参数的总个数;步骤1.2、考虑继电器生产装配工艺特点,对于每个zi而言,其中,和分别表示第i个参数的分布均值和标准差;步骤1.3、要满足步骤1.2的条件,需要在吸合过程的衔铁行程中确定两个关键位置,定义为A点与B点,其中,A点为释放状态下的衔铁位置,B点为吸合过程中静合静触簧与动触簧恰好分离时的衔铁位置,将两个关键位置受参数影响的分布分别表示为:xAzi~NAμA,σA2和xBzi~NBμB,σB2;其中,μA和μB分别表示A点和B点的分布均值,σA和σB分别表示A点和B点的分布标准差,由此定义吸合电压免调率为:ρ=1-PA·1-PB;其中,PA和PB分别代表A点和B点的批次产品不合格率;步骤2、吸合过程关键位置电磁吸力单因素分析与关键影响因素筛选:步骤2.1、结合有限元仿真分析的方式,求解每个主要影响参数zi对各关键位置处的电磁吸力分布的概率密度函数和的影响情况,其中,FEMF表示电磁吸力大小,FSF表示反力大小;步骤2.2、通过分析各参数对吸力的影响情况,筛选出最为重要的关键影响参数zk,k∈[1,2,3,…m],其中,zk表示第k个关键影响参数,m表示关键影响参数的总个数;步骤3、各关键位置分布中单点位置取值下吸反力分布求解与匹配不合格率计算:步骤3.1、使用指数采样的方式获得各关键位置的采样点取值集合和其中,和分别表示A点和B点的采样点,α和β分别表示A点和B点的指数采样时均匀变化的取值参量,h∈{1,2,3,…,c}表示第h个采样点,c表示采样点总个数;步骤3.2、利用随机抽样的方法抽取每个和下的多组zk取值组合,对于服从正态分布的zk,定义其抽样样本的取值距离dZj与权重值wZj: 其中,Zj表示第j组样本,表示第j组样本中的第k个关键影响参数取值,根据其权重值实现关键影响参数组合的随机抽样;步骤3.3、对关键影响参数组合样本逐个进行电磁吸力与反力的有限元仿真计算,以获得每个和下的电磁吸力和反力分布的概率密度函数: 其中,和分别表示A点处电磁吸力和反力随A点位置分布和关键影响参数分布变化的概率密度函数,和分别表示B点处电磁吸力和反力随B点位置分布和关键影响参数分布变化的概率密度函数,μEMF和σEMF表示电磁吸力随衔铁位置变化的分布均值和标准差,μSF和σSF表示反力随衔铁位置变化的分布均值和标准差;步骤3.4、分别计算A点和B点各自的不合格率随各自的取值xA和xB变化的函数gAxA和gBxB,根据现有采样点,通过数值积分的方式得到每个采样点下的不合格率: 步骤4、各关键位置分布影响下吸反力匹配不合格率计算:步骤4.1、利用采样点的不合格率计算结果,建立gAxA的快速计算模型: 其中,φ表示基函数,ε表示高斯参数,r表示距离,表示第h个采样点,sh表示第h个采样点的插值权重;为求解每个采样点处的插值权重,求解下述线性方程组: 其中,表示第δ个采样点,由此计算出每个已知采样点的插值权重sh,进而得到A点的不合格率快速计算模型:gAxA=VAxA;步骤4.2、利用采样点的不合格率计算结果,建立gBxB的快速计算模型: 其中,φ表示基函数,ε表示高斯参数,r表示距离,表示第h个采样点,sh表示第h个采样点的插值权重;为求解每个采样点处的插值权重,求解下述线性方程组: 其中,表示第δ个采样点,由此计算出每个已知采样点的插值权重sh,进而得到B点的不合格率快速计算模型:gBxB=VBxB;步骤4.3、基于步骤步骤4.2和步骤4.2,得到A点和B点的分布影响下的不合格率: 步骤5、各关键位置分布的综合影响下的继电器动作电压免调率计算:根据吸合电压免调率计算公式,求解电磁继电器吸合电压免调率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学,其通讯地址为:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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