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龙图腾网恭喜浙江大学;上虞半导体材料研究中心申请的专利一种基于光热耦合催化的半导体材料抛光方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119734186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510261305.6，技术领域涉及：B24B29/02；该发明授权一种基于光热耦合催化的半导体材料抛光方法及应用是由孙威;王世昌;武左佐;原帅;邢传旺;杨德仁设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于光热耦合催化的半导体材料抛光方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于光热耦合催化的半导体材料抛光方法及应用，属于化学机械抛光方法领域，以黑色二氧化钛作为光热催化剂，与分散剂、电子俘获剂、磨料混合得到光热耦合抛光液，利用可见光源照射光热耦合抛光液，调整抛光参数进行抛光。本发明通过光热耦合抛光技术，以黑色二氧化钛作为光热催化剂，将传统光催化抛光技术的紫外光源拓展到光热耦合催化抛光的可见光源和近红外光源，基于抛光液配方和抛光工艺参数的精准调控，材料去除率可达142.9nmmin，平均表面粗糙度可达0.420nm，实现高效、高精度镜面抛光，并且减少了能量在传输和转换中的损耗，保证抛光质量的稳定性和一致性，可灵活适应各种非氧化物型半导体材料。

本发明授权一种基于光热耦合催化的半导体材料抛光方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于光热耦合催化的半导体材料抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将光热催化剂、分散剂、电子俘获剂、磨料加入去离子水中搅拌并超声，获得光热耦合抛光液，其中，所述光热催化剂为黑色二氧化钛；（2）将待抛光的半导体材料固定在抛光机的抛光盘上，利用可见光源照射光热耦合抛光液，并使光热耦合抛光液滴下与待抛光的半导体材料接触，调整光源参数或抛光参数对需要抛光的半导体材料进行抛光；所述的光源参数包括光源电流及光源强度，抛光参数包括抛光压力、抛光机的转速及抛光时间；所述光源电流为13A~21A，光源强度为750Wm2~1400Wm2；或所述抛光压力为200gcm2~400gcm2，抛光机转速为35rmin~75rmin，抛光时间至少为30min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学;上虞半导体材料研究中心，其通讯地址为：310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。