龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：英特尔公司
申请日：2011-11-23
公开（公告）日：2013-08-07
公开（公告）号：CN103238208A
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。
专利权项：一种形成器件的方法，包括：在衬底上形成外延硅锗；在所述外延硅锗上形成外延硅；对布置在所述外延硅锗上的外延硅布图以形成鳍结构；横跨和在所述鳍结构上形成间隔物；从所述衬底上的源极漏极区去除所述鳍结构的一部分，然后在所述源极漏极区上形成源极漏极结构，其中所述源极漏极区位于所述间隔物附近；以及从位于所述间隔物之间的鳍结构去除所述硅层和外延硅锗层中的一者。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号