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申请/专利权人：旭化成微电子株式会社
申请日：2018-03-23
公开（公告）日：2018-11-02
公开（公告）号：CN208045550U
专利技术分类：
专利摘要：本实用新型提供霍尔元件和霍尔传感器，其能够抑制由电极部与绝缘膜与磁感应部的层叠构造导致的霍尔元件的霍尔输出电压的不均。霍尔元件100具有：基板10；磁感应部20，其形成于基板10上；绝缘膜40，其形成于磁感应部20上；电极部31～34，其形成于绝缘膜40上；以及接触部51～54，其贯穿绝缘膜40地使电极部31～34与磁感应部20电连接，在霍尔元件100中，由接触部51～54包围的区域整体包含于磁感应部20的区域内，将电极部31～34的以分别相对应的接触部51～54为基点延伸的区域在由接触部51～54包围的区域所形成的四边形中所占的比例设为预定值以下。
专利权项：1.一种霍尔元件，其特征在于，该霍尔元件具有：基板；磁感应部，其形成于该基板上；绝缘膜，其形成于该磁感应部上；以及四个导电部，其在所述绝缘膜上贯穿所述绝缘膜地与所述磁感应部电连接，所述导电部分别具有：电极部，其向使所述导电部彼此互相接近的方向延伸地形成于所述绝缘膜上；以及接触部，其贯穿所述绝缘膜地使所述电极部与所述磁感应部电连接，由所述四个导电部所具有的所述接触部包围的区域整体包含于所述磁感应部，在位于由所述四个导电部所具有的所述接触部包围的区域所形成的四边形的对角线上的导电部对所包含的所述接触部之间，距离最近的两点间的距离设为a1，并且，在位于所述对角线上的导电部对所包含的所述电极部之间，距离最近的两点间的距离设为b1，并且，在所述四边形的同一边上相邻的导电部对所包含的所述接触部之间，距离最近的两点间的距离设为a2，并且，在所述相邻的导电部对所包含的所述电极部之间，距离最近的两点间的距离设为b2，这时，由下述式定义的第一比率r1为75％以下，且第二比率r2为75％以下：r1＝a1‑b1a1；r2＝a2‑b2a2。
百度查询： 旭化成微电子株式会社 霍尔元件和霍尔传感器
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