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申请/专利权人：旭化成微电子株式会社
申请日：2023-11-03
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117998971A
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供霍尔元件和霍尔传感器。抑制薄层电阻的变动，使灵敏度补偿变得容易。霍尔元件具备：基板；层叠体，其包括在基板上形成二维电子气膜的活性层、相对于活性层分别在下侧和上侧层叠的第1缓冲层和第2缓冲层；绝缘膜，其形成于层叠体上；以及多个电极6a～6d，其包括分别通过设于绝缘膜的接触孔连接于活性层的至少两个电极6a、6b，至少两个电极中的一个电极6a从该接触孔上朝向另一个电极6b而在绝缘膜上延伸设置。在二维电子气膜‑UP型的霍尔元件中，为了确保电极尺寸而使绝缘膜介于朝向电极6b而在绝缘膜上延伸设置的电极6a与活性层之间，能够抑制从电极6a沿膜厚方向施加驱动电压而活性层的薄层电阻变动的情况。
专利权项：1.一种霍尔元件，其中，该霍尔元件具备：基板；层叠体，其包括在所述基板上形成二维电子气膜的活性层、以及相对于该活性层分别在下侧和上侧层叠的第1缓冲层和第2缓冲层；绝缘膜，其形成于所述层叠体上；以及多个电极，其包括分别通过设于所述绝缘膜的接触孔而连接于所述活性层的至少两个电极，该至少两个电极中的一个电极从该接触孔上朝向另一个电极而在所述绝缘膜上延伸设置。
百度查询： 旭化成微电子株式会社 霍尔元件和霍尔传感器
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