龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京工业大学
摘要：本发明公开了一种化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs‑OI复合晶圆的制备方法，包括：在第一衬底上制备石墨过渡层；在石墨过渡层上生长化合物半导体单晶薄膜层；在化合物半导体单晶薄膜层上制备第一介质层；在第二衬底上制备第二介质层；通过第一介质层和第二介质层的键合，使第一衬底和第二衬底相结合；施加一个横向的外部压力，使化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底在石墨过渡层处横向分裂，将化合物半导体单晶薄膜层转移到第二衬底上。本发明可将外延生长的高质量化合物半导体单晶薄膜层通过介质层键合的方式转移到Si基衬底上，可以实现高质量、大面积、低成本化合物半导体单晶薄膜层在SOI衬底上的制备。
主权项：1.一种化合物半导体单晶薄膜层的转移方法，其特征在于，包括：在第一衬底上制备石墨过渡层；在所述石墨过渡层上生长化合物半导体单晶薄膜层，所述化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底具有相同晶格结构；在所述化合物半导体单晶薄膜层上制备第一介质层；在第二衬底上制备第二介质层；通过所述第一介质层和第二介质层的键合，使所述第一衬底和第二衬底相结合；施加一个横向的外部压力，使所述化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底在所述石墨过渡层处横向分裂，将所述化合物半导体单晶薄膜层转移到所述第二衬底上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs-OI复合晶圆的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号