龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供了一种硅穿孔结构及其形成方法、半导体器件。硅穿孔结构的形成方法，先形成第一通孔，之后在第一通孔的侧壁和底壁上依次形成第一隔离层，牺牲层和第二隔离层，限定出第二通孔，在第二通孔中形成插塞，然后去除牺牲层，第一隔离层和第二隔离层之间形成轴向空隙，之后形成第三隔离层与第一隔离层的顶部和第二隔离层的顶部搭接，成为同轴气腔套，同轴气腔套围绕插塞。因此，制备过程简单，而且形成的同轴气腔套中的轴向空隙均匀，从而有效的控制了寄生电容，由此获得的器件，性能得以提高。
主权项：1.一种硅穿孔结构的形成方法，其特征在于，包括：提供芯片层，在所述芯片层的底部形成有金属垫，并在所述芯片层上形成一图案化的掩膜层；以所述图案化的掩膜层为掩膜刻蚀所述芯片层，以暴露出所述金属垫，以形成第一通孔；依次形成第一隔离层、牺牲层和第二隔离层在所述第一通孔的侧壁和底壁上，以限定出第二通孔，并使所述第二通孔暴露出部分所述金属垫；形成插塞在所述第二通孔中，所述插塞与所述金属垫相连接；去除所述牺牲层，以在所述第一隔离层和所述第二隔离层之间形成轴向空隙；形成第三隔离层在所述芯片层上，所述第三隔离层搭接所述第一隔离层的顶部和所述第二隔离层的顶部，以遮盖所述轴向空隙的顶端，并由所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述第三隔离层界定出一同轴气腔套在所述插塞的外周围；以及形成金属图案与所述插塞相连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 硅穿孔结构及其形成方法、半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号